產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動(dòng)模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場(chǎng)效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
供應(yīng)BSM50GB120DLC模塊
日期：2025-02-03 13:58
瀏覽次數(shù)：4021
摘要：供應(yīng)BSM50GB120DLC模塊
型號(hào):BSM50GB120DLC
廠家:歐佩克(EUPEC)
規(guī)格：電流 50A
電壓:1200V
單元:2
BSM50GB120DLC 是西門子2單元、50A、1200V 的DLC系列IGBT模塊。主要是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用,用于變頻器、UPS電源領(lǐng)域,西門子電力半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于發(fā)電、輸配電、電氣傳動(dòng)、牽引、電力系統(tǒng)，家用電器、新能源、汽車電子等電力電子設(shè)備中。
InfineonIGBT采用NPT-IGBT工藝，600V“HS”系列硬開關(guān)頻率高達(dá)100KHz，1200V“SKW”系列硬開關(guān)頻率可達(dá)40KHz。溫升低，有較大的血崩耐量。第三代IGBT，采用溝槽柵+...
供應(yīng)BSM50GB120DLC模塊
型號(hào):BSM50GB120DLC
廠家:歐佩克(EUPEC)
規(guī)格：電流 50A
電壓:1200V
單元:2
BSM50GB120DLC 是西門子2單元、50A、1200V 的DLC系列IGBT模塊。主要是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用,用于變頻器、UPS電源領(lǐng)域,西門子電力半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于發(fā)電、輸配電、電氣傳動(dòng)、牽引、電力系統(tǒng)，家用電器、新能源、汽車電子等電力電子設(shè)備中。
InfineonIGBT采用NPT-IGBT工藝，600V“HS”系列硬開關(guān)頻率高達(dá)100KHz，1200V“SKW”系列硬開關(guān)頻率可達(dá)40KHz。溫升低，有較大的血崩耐量。第三代IGBT，采用溝槽柵+電場(chǎng)終止層（Fieldstop）技術(shù)，具有較低的飽和壓降，低達(dá)1.50V。
型號(hào):BSM50GB120DLC
廠家:歐佩克(EUPEC)
規(guī)格：電流 50A
電壓:1200V
單元:2
BSM50GB120DLC 是西門子2單元、50A、1200V 的DLC系列IGBT模塊。主要是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用,用于變頻器、UPS電源領(lǐng)域,西門子電力半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于發(fā)電、輸配電、電氣傳動(dòng)、牽引、電力系統(tǒng)，家用電器、新能源、汽車電子等電力電子設(shè)備中。
InfineonIGBT采用NPT-IGBT工藝，600V“HS”系列硬開關(guān)頻率高達(dá)100KHz，1200V“SKW”系列硬開關(guān)頻率可達(dá)40KHz。溫升低，有較大的血崩耐量。第三代IGBT，采用溝槽柵+電場(chǎng)終止層（Fieldstop）技術(shù)，具有較低的飽和壓降，低達(dá)1.50V。
